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河北半导体研究所 收藏

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研究主题:氮化镓    砷化镓    GAAS    碳化硅    MESFET    

研究学科:电子信息类    自动化类    机械类    电气类    航空航天类    

被引量:566H指数:10WOS: 43 EI: 71 北大核心: 146 CSCD: 151

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314 条 记 录,以下是 1-10

跨世纪的微电子封装
1
《半导体情报》河北半导体研究所 高尚通  出版年:2000
介绍了近几年国际微电子封装的特点和发展趋势 ,简述了我国微电子封装的现状和发展特点 ,并提出几点建议。
关键词:微电子封装 焊球阵列封装 芯片尺寸封装
分时差分式光纤甲烷气体检测仪的研制
2
《仪表技术与传感器》廊坊师范学院;河北半导体研究所;新疆特变电工股份有限公司;燕山大学成人教育学院 米新江 许爱东 王英华 李灵风  出版年:2003
基于甲烷气体的吸收光谱特性,研制了一种用低廉LED作光源的新型分时差分式光纤甲烷气体检测仪。光源LED自动实行交替斩波,波长切换机构的灵巧设计可以用单光路实现差分吸收浓度检测,消除了双光路的差异。理论和实验表明,该结构既...
关键词:分时差分光吸收  甲烷 检测仪 光纤传感器 研制  
微机械热对流加速度计 ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》河北半导体研究所 李立杰 梁春广  出版年:2001
国防预研基金!资助项目 (项目编号 :8.7.2 .7)&&
介绍了基于流体运动的加速度计的原理和制作 .它的原理是自然对流受到加速度信号而产生对流形变 ,从而产生温度差 ,由这个温度差感应了加速度、倾斜、位置变化 .这种加速度计由一个充有流体的密闭腔体组成 ,腔体中包含了一个加热...
关键词:热对流 加速度计 微机械
纳米卫星发展现状及纳米卫星中的微电子技术
4
《半导体情报》河北半导体研究所 党冀萍 钱静  出版年:1999
介绍了用于地球观测、空间科学和技术演示的下一代超小型纳米卫星以及微电子技术和MEMS技术在纳米卫星中的应用。
关键词:纳米卫星 微电子技术 微机械系统
采用LTCC技术的X波段接收前端MCM设计
5
《现代雷达》南京电子技术研究所;河北半导体研究所 南京 高勇 王绍东  出版年:2008
多芯片组件(MCM)是目前实现机载雷达接收前端小型化的最有效途径。文中对X波段全频段多功能接收前端的组成、采用LTCC技术的MCM设计实现及实物测试数据进行了叙述和分析,给出了采用LTCC技术的X波段多功能接收前端MCM...
关键词:接收前端 多芯片组件 低温共烧陶瓷 小型化
共振隧穿二极管
6
《微纳电子技术》天津大学电子信息工程学院;河北半导体研究所 郭维廉 梁惠来 张世林 牛萍娟 毛陆虹 赵振波 郝景臣 魏碧华 张豫黔 宋婉华 杨中月  出版年:2002
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
关键词:共振隧穿二极管 纳米器件  量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率
低温共烧陶瓷——一种理想的微波材料
7
《半导体技术》河北半导体研究所;青岛远洋船员学院机电系 李泊 潘凤娥  出版年:2003
重点介绍了目前LTCC技术状态,MCM封装技术的发展,及低温陶瓷性能。使用Au,Ag,Cu等较低电阻率金属材料作导电材料,可以极大地降低插入损耗,并且介电常数比高温共烧陶瓷(HTCC)低,因此可以提高微波信号传输速率,减...
关键词:低温共烧陶瓷 微波材料 TCC技术  MCM封装  
InP单晶材料现状与展望
8
《电子工业专用设备》河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室 孙聂枫 周晓龙 陈秉克 孙同年  出版年:2005
国家自然科学基金项目(编号:60276008)的支持。
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种...
关键词:液封直拉法  气压控制直拉法  垂直梯度凝固  单晶材料
GaAs MESFET开关模型的研究
9
《半导体情报》河北半导体研究所 高学邦 杜红彦 王小旭 赵静 王同祥 韩丽华 高翠琢  出版年:2000
讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。
关键词:砷化镓 MESFET 开关模型 场效应管
S波段10W SiC MESFET的研制
10
《半导体技术》河北半导体研究所 潘宏菽 李亮 陈昊 齐国虎 霍玉柱 杨霏 冯震 蔡树军  出版年:2007
国家重点实验室基金项目(9140C060702060C0603)
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 ...
关键词:碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管
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