文献类型：期刊文章

作　　者：潘宏菽[1] 李亮[1] 陈昊[1] 齐国虎[1] 霍玉柱[1] 杨霏[1] 冯震[1] 蔡树军[1]

机构地区：[1]河北半导体研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点实验室基金项目(9140C060702060C0603)

年　　份：2007

卷　　号：32

期　　号：11

起止页码：940-943

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz。对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果。

关 键 词：碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管

分 类 号：TN385]