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期刊文章详细信息

GaAs MESFET开关模型的研究    

Research on GaAs MESFET Switch Model

  

文献类型:期刊文章

作  者:高学邦[1] 杜红彦[1] 王小旭[1] 赵静[1] 王同祥[1] 韩丽华[1] 高翠琢[1]

机构地区:[1]河北半导体研究所,石家庄050051

出  处:《半导体情报》

年  份:2000

卷  号:37

期  号:1

起止页码:62-64

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。

关 键 词:砷化镓 MESFET 开关模型 场效应管

分 类 号:TN386]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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