期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]河北半导体研究所,石家庄050051
年 份:2000
卷 号:37
期 号:1
起止页码:62-64
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。
关 键 词:砷化镓 MESFET 开关模型 场效应管
分 类 号:TN386]
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