期刊文章详细信息
InP单晶材料现状与展望
Development and Status of InP Single Crystal
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄050051
基 金：国家自然科学基金项目(编号:60276008)的支持。
年 份：2005
卷 号：34
期 号：10
起止页码：10-14
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。
关 键 词：液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 单晶材料
分 类 号：TN304.053]
参考文献：
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