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华南理工大学电子与信息学院微电子研究所 收藏

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研究主题:MODELSIM    MATLAB    仿真平台    前端设计    运算放大器    

研究学科:电子信息类    自动化类    航空航天类    

被引量:13H指数:2EI: 1 北大核心: 7 CSCD: 5

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13 条 记 录,以下是 1-10

基于FPGA的三速SDI设计
1
《电视技术》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所 黄隶凡 郑学仁  出版年:2011
研究了SDI发展现状,针对用同一物理接口动态支持三速(标准清晰度/高清晰度/3G)SDI的可行性,提出了一个基于FPGA的三速SDI设计方案。主要阐述了三速SDI的设计思想,详细分析了系统主要模块的功能及方案的基本硬件组...
关键词:FPGA 三速SDI  SERDES
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析
2
《微电子学》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 林晓玲 刘建 章晓文 侯通贤 姚若河  出版年:2011
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目(9140C03010408DZ15)
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据...
关键词:化学机械抛光 CU互连 工艺缺陷  金属残留  
PMOSFET动态NBTI效应的研究
3
《半导体技术》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所;工业和信息化部电子第五研究所 宋芳芳 解江 李斌 章晓文  出版年:2010
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下N...
关键词:PMOS 动态NBTI  可靠性 恢复效应  
半导体器件功率老化的结温控制方法研究
4
《实验技术与管理》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所;电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 冯永杰 李斌 黄云  出版年:2010
半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进,并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明,凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率,确能使器件结温达...
关键词:半导体器件 功率老化  结温控制  
一种图像缩放的简化双线性插值电路
5
《微电子学与计算机》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所 廖汝鹏 蔡泽锋 闾晓晨 郑学仁  出版年:2009
设计了一个新颖的图像缩放的线性插值电路.该电路只使用一个有符号的乘法器,与常用的滤波器形式插值电路相比,不需要额外的步长查找表地址产生器和ROM等电路,大大节省硬件开销.仿真结果表明:该电路正确完成线性插值运算,适用于双...
关键词:双线性插值 定标器 图像缩放
基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计
6
《半导体技术》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所 邹心遥 姚若河  出版年:2008
固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿...
关键词:可靠性评估 威布尔参数估计  最小二乘支持向量机 最小二乘回归  
通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响 ( EI收录)
7
《华南理工大学学报(自然科学版)》华南理工大学电子与信息学院微电子研究所;工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 林晓玲 侯通贤 章晓文 姚若河  出版年:2011
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801)
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔...
关键词:Cu/低-k互连  应力诱生空洞  工艺波动 通孔微结构  
运算放大器失效原因分析
8
2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 2011林晓玲 章晓文  出版年:2011
某单运算放大器在应用过程中发现输出电流过大、运放功能失效。本文对该运放进行失效分析,通过端口Ⅳ特性测试、开封内目检分析,并结合器件内部电路原理分析,确定了该运放功能失效的模式及原因。为减少及预防同类失效的再次发生提供了依...
关键词:运算放大器 失效机理  性能测试  电路设计
运算放大器失效原因分析
9
2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 2011 出版年:2011
某单运算放大器在应用过程中发现输出电流过大、运放功能失效。本文对该运放进行失效分析,通过端口IV特性测试、开封内目检分析,并结合器件内部电路原理分析,确定了该运放功能失效的模式及原因。为减少及预防同类失效的再次发生提供了...
关键词:运算放大器 失效原因  失效分析  
铜—低k集成技术的失效模式及失效分析
10
中国电子学会第十四届青年学术年会 2008林晓玲 章晓文  出版年:2008
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了新的挑战。本文讨论了与铜/低k技术有关的失效模式,及与铜...
关键词:集成电路 引线互连  器件失效  失效分析  
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