文献类型：期刊文章

作　　者：林晓玲[1] 侯通贤[1] 章晓文[2] 姚若河[1]

机构地区：[1]华南理工大学电子与信息学院微电子研究所,广东广州510640 [2]工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州510640

出　　处：《华南理工大学学报（自然科学版）》

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801)

年　　份：2011

卷　　号：39

期　　号：3

起止页码：135-139

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.

关 键 词：Cu/低-k互连  应力诱生空洞  工艺波动 通孔微结构  

分 类 号：TN322.8]