文献类型：期刊文章

作　　者：宋芳芳[1] 解江[2] 李斌[1] 章晓文[2]

机构地区：[1]华南理工大学电子与信息学院微电子研究所,广州510640 [2]工业和信息化部电子第五研究所,广州510610

出　　处：《半导体技术》

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：1

起止页码：79-83

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。

关 键 词：PMOS 动态NBTI  可靠性 恢复效应  

分 类 号：TN386.1] TN402