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铜—低k集成技术的失效模式及失效分析
文献类型：会议
作者单位：信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610 华南理工大学 电子与信息学院微电子研究所广州 510640 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610
会议文献：中国电子学会第十四届青年学术年会论文集
会议名称：中国电子学会第十四届青年学术年会
会议日期：20080900
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
出版日期：20080900
语 种：中文
摘 要：随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了新的挑战。本文讨论了与铜/低k技术有关的失效模式,及与铜互连结构特点相对应的失效分析技术。
关 键 词：集成电路 引线互连 器件失效 失效分析
分 类 号：TN405.96] TN406
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