文献类型：期刊文章

作　　者：冯永杰[1,2] 李斌[1] 黄云[2]

机构地区：[1]华南理工大学电子与信息学院微电子研究所,广东广州510640 [2]电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州510610

出　　处：《实验技术与管理》

年　　份：2010

卷　　号：27

期　　号：5

起止页码：46-49

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性，对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进，并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明，凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率，确能使器件结温达到老化的要求，并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响。最后在此基础上，提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。

关 键 词：半导体器件 功率老化  结温控制  

分 类 号：TN307]