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上海交通大学微电子学院微电子技术研究所 收藏

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研究主题:GAAS    砷化镓    粒子探测器    MSM光电探测器    金刚石薄膜    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    核工程类    

被引量:252H指数:8WOS: 12 EI: 39 北大核心: 76 CSCD: 76

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113 条 记 录,以下是 1-10

热丝CVD法生长纳米金刚石薄膜的研究
1
《微细加工技术》上海交通大学微电子研究所 张志明 莘海维 戴永兵 孙方宏 汪涛 沈荷生  出版年:2003
国家863计划新材料领域纳米专项资助项目(2002AA302613);上海市科技发展基金纳米专项资助项目(0159nm033);上海交通大学教育部薄膜与微细技术重点实验室资助项目
系统地研究了热丝CVD法中反应气体压力对沉积产物金刚石薄膜的形貌和拉曼谱图的影响,提出了热丝CVD生长纳米金刚石薄膜的新工艺,并在50mm硅片上沉积得到高质量的多晶纳米金刚石薄膜。高分辨透射电镜分析表明,薄膜的晶粒尺寸...
关键词:纳米金刚石 薄膜  热丝CVD  
USB接口在串行通信中的应用
2
《电子技术应用》上海交通大学微电子技术研究所 何广军  出版年:2002
介绍USB接口在串行通信中的应用,讨论USB接口同RS-232接口的转换以及USB接口modem的简化设计,并给出了实际中的产品样图。
关键词:USB接口 串行通信 RS-232 UniModem  通用串行总线
CVD 金刚石涂层刀具附着力的研究 ( EI收录)
3
《上海交通大学学报》上海交通大学微电子技术研究所 张志明 何贤昶 沈荷生 李胜华  出版年:1998
国家863高科技基金资助项目;上海市科技发展基金
以压痕法涂层破碎时的负荷来评估附着力,采用稀盐酸对衬底进行表面处理,在CVD沉积过程中添加适量粘结促进剂以压抑金属钴的催化墨化作用,沉积合适的厚度,可在硬质合金衬底上得到高附着力的金刚石涂层刀具.用该刀具对含碳化硅颗粒的...
关键词:金刚石涂层 刀具 附着力 切削试验  CVD
一种新型电荷泵电路的设计
4
《微电子学与计算机》西安交通大学微电子研究所;上海交通大学微电子研究所 袁小云 张瑞智 王洪娜  出版年:2003
文章提出了一种新的全差分电荷泵结构,与传统电荷泵电路相比,这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点,同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。
关键词:电荷泵电路 设计  电荷泄漏  差分电路 鉴频鉴相器 PLL IC
CVD金刚石涂层拉丝模的研制与应用
5
《工具技术》上海交通大学微电子技术研究所 张志明 沈荷生 孙方宏 何贤昶 万永中  出版年:2000
国家 8 63计划新材料领域资助项目!(项目编号 :715 0 0 2 0 0 10 )
:以市售大孔径 (>2mm)硬质合金拉丝模为衬底 ,经酸腐蚀去钴、研磨和还原处理后 ,以氢气和丙酮为原料 ,用穿孔直拉热丝CVD法制备了金刚石涂层。利用扫描电镜和喇曼谱图对涂层均匀性进行了评估。初步应用试验表明 ,金刚...
关键词:金刚石涂层 拉丝模  热丝CVD  研制  
单电子晶体管放大器的数值分析 ( EI收录)
6
《Journal of Semiconductors》上海交通大学微电子研究所 沈波 蒋建飞  出版年:1997
国家自然科学基金
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型,研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性.结果表明:单电子晶体管放大器具有灵敏度高,功耗低等优点,缺点是由于几率工作,工作条件受到严格的限制.
关键词:单电子晶体管 放大器 单电子隧道效应  
铁电存储器技术
7
《半导体技术》上海交通大学微电子技术研究所 黄寅 徐子亮  出版年:2000
详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。
关键词:铁电存储器 非易失性存储器 工作原理  
金刚石薄膜场致发射的研究 ( EI收录)
8
《上海交通大学学报》上海交通大学HDTV研究所;上海交通大学微电子研究所 唐敦乙 林书铨 张志明 沈荷生 李胜华  出版年:2000
给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密度可增大一个数量级.
关键词:场致发射 金刚石薄膜 掺杂 显示器件 FED LCD
一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器
9
《微电子学》上海交通大学微电子技术研究所 管慧  出版年:1999
提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压CMOS四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的PSPICE模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±1.5V时,功耗小于80μW,线性输入电压范围约为±0.5V...
关键词:CMOS 有源衰减器 模拟乘法器 模拟信号处理
神经MOS晶体管
10
《半导体技术》上海交通大学微电子技术研究所 管慧 汤玉生  出版年:2000
神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。
关键词:神经MOS晶体管 浮栅器件  MOS器件
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