期刊文章详细信息
神经MOS晶体管
Neuron MOS Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030
年 份：2000
卷 号：25
期 号：1
起止页码：2-7
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。
关 键 词：神经MOS晶体管 浮栅器件 MOS器件
分 类 号：TN386.1]
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