期刊文章详细信息
铁电存储器技术
FRAM Technique
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030
年 份：2000
卷 号：25
期 号：3
起止页码：1-4
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。
关 键 词：铁电存储器 非易失性存储器 工作原理
分 类 号：TP333.8]
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