期刊文章详细信息
单电子晶体管放大器的数值分析 ( EI收录)
Numerical Analysis of Amplifier Based on SETT
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海交通大学微电子研究所,上海200030
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：国家自然科学基金
年 份：1997
卷 号：18
期 号：8
起止页码：626-630
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1998164089830)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．
关 键 词：单电子晶体管 放大器 单电子隧道效应
分 类 号：TN321] TN722.302
参考文献：
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