期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]上海交通大学HDTV研究所,上海200030 [2]上海交通大学微电子研究所
年 份:2000
卷 号:34
期 号:2
起止页码:212-214
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、MR、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密度可增大一个数量级.
关 键 词:场致发射 金刚石薄膜 掺杂 显示器件 FED LCD
分 类 号:TN873] TN141
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引证文献:
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