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中国电子科技集团第十三研究所 收藏

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研究主题:芯片    GAN    衬底    半导体器件    校准    

研究学科:电子信息类    自动化类    机械类    电气类    经济学类    

被引量:4,300H指数:18WOS: 62 EI: 115 北大核心: 1,218 CSCD: 827

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5,907 条 记 录,以下是 1-10

MEMS传感器现状及应用
1
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 王淑华  出版年:2011
MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展...
关键词:微电子机械系统(MEMS)  传感器 加速度计 陀螺仪 压力传感器
电子封装技术的新进展
2
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所;中国电子科技集团公司第十三研究所 张蜀平 郑宏宇  出版年:2004
本文综述了电子封装技术的最新进展。
关键词:电子封装技术 芯片制造 发展趋势  低温共烧陶瓷材料  BGA封装 性能比较 热导率
新型微电子封装技术
3
《电子与封装》中国电子科技集团公司第十三研究所 高尚通 杨克武  出版年:2004
本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并...
关键词:微电子 封装技术 芯片尺寸封装 圆片级封装 三维封装 焊球阵列封装 系统封装
基于Allan方差的MEMS陀螺仪性能评价方法
4
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 邹学锋 卢新艳  出版年:2010
介绍了Allan方差的基本定义,以及采用Allan方差对陀螺零偏数据进行处理所需的测试系统构成及测试要点。详细推导了采用Allan方差法对陀螺仪噪声进行估算的过程,描述了应用MATLAB进行数据处理平台建设的主要流程。最...
关键词:MEMS 陀螺仪 ALLAN方差 MATLAB 随机误差  
电子封装用金属基复合材料的研究现状
5
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 张晓辉 王强  出版年:2018
介绍了典型的电子封装用复合材料,着重介绍了不同类型的金属基复合材料(MMC);综述了以铝碳化硅(SiC/Al)和Si/Al为代表的金属基复合材料的国内外研究现状和进展,阐述了SiC/Al复合材料常见的制备工艺,比较了粉末...
关键词:电子封装 金属基复合材料(MMC)  铝碳化硅  热膨胀系数 热导率
SiC电力电子器件研究现状及新进展
6
《半导体技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 刘佳佳 刘英坤 谭永亮  出版年:2017
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺...
关键词:SIC 电力电子器件 宽禁带半导体器件  SIC IGBT 欧姆接触 SIC MOSFET
MEMS惯性传感器现状与发展趋势
7
《计测技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;河北美泰电子科技有限公司 卞玉民 胡英杰 李博 徐淑静 杨拥军  出版年:2019
自上世纪90年代以来,针对MEMS惯性器件的研究越来越多,MEMS惯性传感器开始得到广泛的商业应用。本文对部分MEMS惯性传感器国内外的新近研究成果进行了分类与归纳,分别对MEMS加速度计、MEMS陀螺仪和微惯性测量组合...
关键词:MEMS 惯性  传感器 现状  趋势  
陶瓷基板研究现状及新进展
8
《半导体技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 陆琪 刘英坤 乔志壮 刘林杰 高岭  出版年:2021
近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的...
关键词:电子封装 陶瓷材料 陶瓷基板 低温共烧陶瓷(LTCC)  高温共烧陶瓷(HTCC)  
硅MEMS器件加工技术及展望
9
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所 徐永青 杨拥军  出版年:2010
介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势。硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术。体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀,可得到较大...
关键词:微电子机械系统 体硅工艺 表面工艺  穿硅通孔  3D封装
等离子体微细加工技术的新进展
10
《真空科学与技术》信息产业部电子第13研究所 李效白  出版年:2000
在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一...
关键词:等离子刻蚀 干法刻蚀 集成电路 制造工艺  
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