期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]信息产业部电子第13研究所,石家庄050051
年 份:2000
卷 号:20
期 号:3
起止页码:179-186
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CSCD、CSCD_E2011_2012、核心刊
摘 要:在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。
关 键 词:等离子刻蚀 干法刻蚀 集成电路 制造工艺
分 类 号:TN405.98]
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