文献类型：期刊文章

作　　者：刘佳佳[1] 刘英坤[1] 谭永亮[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2017

卷　　号：42

期　　号：10

起止页码：744-753

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD_E2017_2018、核心刊

摘　　要：由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展。概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望。

关 键 词：SIC 电力电子器件 宽禁带半导体器件  SIC IGBT 欧姆接触 SIC MOSFET

分 类 号：TN325.3]