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苏州纳维科技有限公司 收藏

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研究主题:衬底    氮化镓    氮化物    半导体材料    外延层    

研究学科:电子信息类    经济学类    机械类    自动化类    

被引量:4H指数:1北大核心: 8 CSCD: 2

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140 条 记 录,以下是 1-10

氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性
1
《半导体技术》中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室;苏州纳维科技有限公司 卫新发 梁国松 张育民 王建峰 徐科  出版年:2021
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404101)。
氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并...
关键词:掺Fe GaN  氧化铟锡(ITO)  Ti薄层  欧姆接触  热稳定性  光导半导体开关
GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究
2
《人工晶体学报》中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;上海科技大学物质科学与技术学院;苏州纳维科技有限公司;中国科学院纳米光子材料与器件重点实验室 邵凯恒 夏嵩渊 张育民 王建峰 徐科  出版年:2021
国家重点研发计划(2017YFB0404101,2017YFB0403000);国家自然科学基金(61704187);中国科学院前沿科学重点研究计划(QYZDB-SSW-SLH042)。
氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会带来沟道效应,对激光器应用会影响谐振腔中的光场分布。本文通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD...
关键词:氮化镓衬底  二次生长界面  界面杂质  杂质来源  同质外延  Si聚集  
尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器
3
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20210721徐琳 蔡德敏 金超  出版年:2023
本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置,回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器;腔体内壁顶面为弧形;回收装置内部的温度为300‑800℃;本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE...
一种闸板阀
4
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20120702徐俞 张纪才 徐琳 王建峰 徐科  出版年:2012
本发明提供一种闸板阀,包括一闸板,还包括内壳和盖板,所述闸板包括水嘴、连杆和方板;所述方板两端分别固接一连杆,两根连杆另一端分别设有所述水嘴;所述方板上设有一通孔;所述方板与连杆为中空结构,且两者的中空结构相连通;所述闸...
一种硅基图形衬底上生长外延层的方法
5
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20080919朱建军 徐科 王建峰  出版年:2009
一种硅基图形衬底上生长外延层的方法,包括如下步骤:提供硅衬底;在硅衬底表面生长第一外延层;在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层;将第一介质层的一部分腐蚀除去;刻蚀第一外延层,至露出硅衬底后停止;在硅衬底上形成凹陷结...
一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法
6
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20150625张育民 王建峰 徐科  出版年:2015
本发明涉及了一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法,利用半导体材料在不同材料上的形核功不同,借助于简单的镀膜工艺和湿法刻蚀工艺,消除了半导体材料表面的孔洞,形成了表面平整、但保留晕状结构的III...
晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法
7
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20161230徐俞 王建峰 徐科  出版年:2017
本申请公开了一种晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法,该晶体参考面加工用X射线定向夹具,包括:可控倾斜台,具有一支撑面,该支撑面相对水平面的倾斜角度可调;夹具底板,固定于所述支撑面上;夹具顶板,与所述夹具底板上下设置...
一种等离子激元纳米激光器
8
[发明专利] 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 20120309黄增立 王建峰 徐科 杨辉  出版年:2012
本发明涉及微纳光子器件与激光技术领域。本发明提供一种等离子激元纳米激光器,包括一第一介质层、一第一隔离层、和一增益介质腔体,所述第一隔离层置于所述第一介质层的裸露表面上,所述增益介质腔体置于所述第一隔离层的裸露表面上,其...
一种偏振出光发光二极管
9
[发明专利] 苏州大学;苏州纳维科技有限公司 20110823韩琴 曹冰 张桂菊 王钦华 王建峰 徐科  出版年:2013
本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管,它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层,量子阱、p型层;在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层;或制备一介质过渡层与具有二维周...
金属Ga高效利用装置及方法
10
[发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20161230任国强 王建峰 徐科 张育民 徐俞  出版年:2018
本发明提供一种金属Ga高效利用装置及方法,所述金属Ga高效利用装置包括:生长设备、气液分离器;所述生长设备为利用金属Ga作为原材料的生长设备,其内部形成含Ga材料生长空间,所述气液分离器具有气液进口、气体出口以及液体Ga...
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