文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201510353377.X

申 请 日：20150625

发 明 人：张育民 王建峰 徐科

申 请 人：苏州纳维科技有限公司

申请人地址：215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号

公 开 日：20150909

公 开 号：CN104900779A

代 理 人：汤东凤

代理机构：北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及了一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法，利用半导体材料在不同材料上的形核功不同，借助于简单的镀膜工艺和湿法刻蚀工艺，消除了半导体材料表面的孔洞，形成了表面平整、但保留晕状结构的III-V族半导体单晶衬底。得到的表面结构平整，不会在后续材料外延过程中会引起孔洞周围的气体运动产生扰动，有利于后续器件制备良率的提升，且该方法简单易行，适合于规模化生产。

主 权 项：1.一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构，上述表面结构的特征为：在原有孔洞的上方，形成了光滑的表面，但在之前的孔洞位置仍会保留封闭图形结构，所述封闭图形结构存在封闭的边界，所述边界以内和以外的材料相同，但是发光性质存在显著区别，且所述边界附近的光学反射率与边界以外的区域的光学反射率也存在显著区别。

关 键 词：孔洞 半导体单晶  表面结构  衬底  平整  简单易行  半导体材料 半导体材料表面  规模化生产 材料外延  镀膜工艺 器件制备  气体运动  湿法刻蚀 制备方法  扰动  良率  周围  

IPC专利分类号：H01L33/32(20100101);H01L33/18(20100101);H01L33/00(20100101);H01L21/205(20060101)