文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200810200193.X

申 请 日：20080919

发 明 人：朱建军 徐科 王建峰

申 请 人：苏州纳维科技有限公司

申请人地址：215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

公 开 日：20090304

公 开 号：CN101378017A

代 理 人：翟羽

代理机构：上海翼胜专利商标事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去；刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层；采用外延方法生长连续的第二外延层。本发明的优点在于：可以解决硅衬底上生长外延层容易龟裂的问题；可以降低外延生长中的位错密度和缺陷密度，提高晶体质量；可以解决硅容易向外扩散的问题；工艺可重复性好。

主 权 项：1.一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去，至露出第一外延层后停止；以保留的第一介质层为掩模，采用选择性腐蚀的方法刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；腐蚀露出的硅衬底，在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层，至露出第一外延层；以露出的图形化的第一外延层为籽晶，采用外延方法生长连续的第二外延层。

关 键 词：硅衬底 介质层  外延层 凹陷结构  生长外延  生长  腐蚀  硅衬底表面  晶体质量 缺陷密度 外延方法  外延生长  衬底 硅基 刻蚀  位错  底部  扩散  露出  侧面  停止  

IPC专利分类号：H01L21/20(20060101)