文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110242940.8

申 请 日：20110823

发 明 人：韩琴 曹冰 张桂菊 王钦华 王建峰 徐科

申 请 人：苏州大学 苏州纳维科技有限公司

申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号

公 开 日：20130313

公 开 号：CN102263183B

代 理 人：陶海锋

代理机构：32103 苏州创元专利商标事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管，它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层，量子阱、p型层；在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层；或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0<n<p型介质层的折射率。采用本发明技术方案，实现了发光二极管直接出偏振光的目的，并能有效增强发光二极管的透射率和偏振度，使发光器件的整体体积大大缩小，同时它可通过半导体光刻工艺一次性集成在发光芯片上，易实现产业化。

主 权 项：1.一种偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括基底（1），n型层（2）、量子阱（3）、p型层（4）；其特征在于：在发光二极管芯片的出光表面上制备二维周期点阵结构表面层（6）；所述二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%；点阵为突起的柱体或嵌入式孔穴，其形状为圆形或长方形，柱体的高度或孔穴的深度为50～400纳米,圆形点阵的直径或长方形点阵的边长为周期b的70%～100%。

关 键 词：发光二极管 偏振 二维周期结构  金属表面  过渡层 折射率  偏振光 半导体光刻工艺  发光二极管芯片  点阵 二维周期  发光器件 发光芯片  复合结构  整体体积  周期结构  介质层  量子阱  上表面  透射  基底  有源  

IPC专利分类号：H01L33/44(20100101);H01L33/46(20100101)