文献类型：期刊文章

作　　者：卫新发[1,2] 梁国松[1,2] 张育民[2,3] 王建峰[1,2,3] 徐科[1,2,3]

Wei Xinfa;Liang Guosong;Zhang Yumin;Wang Jianfeng;Xu Ke(School of Nano-Tech and Nano-Bionics,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,China;Key Laboratory of Nanophotonic Materials and Devices,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China;Suzhou Nanowin Science and Technology Co.,Ltd.,Suzhou,215123,China)

机构地区：[1]中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室,江苏苏州215123 [3]苏州纳维科技有限公司,江苏苏州215123

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404101)。

年　　份：2021

卷　　号：46

期　　号：6

起止页码：474-478

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。

关 键 词：掺Fe GaN  氧化铟锡(ITO)  Ti薄层  欧姆接触  热稳定性  光导半导体开关

分 类 号：TN304]