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山东浪潮华光光电子股份有限公司 收藏

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研究主题:LED芯片    芯片    外延片    电流扩展    晶片    

研究学科:电子信息类    自动化类    经济学类    电气类    交通运输类    

被引量:10H指数:2WOS: 1 EI: 6 北大核心: 7 CSCD: 7

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576 条 记 录,以下是 1-10

AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究 ( EI收录)
1
《人工晶体学报》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东浪潮华光光电子股份有限公司 徐明升 胡小波 徐现刚  出版年:2014
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904);国家自然科学基金(11134006;51321091;51323002);山东大学基本科研业务费资助项目(2014QY005)
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-1...
关键词:SIC衬底 GAN薄膜 AlGaN成核层  应力  晶体质量
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析 ( EI收录)
2
《人工晶体学报》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东浪潮华光光电子股份有限公司 于国建 徐明升 胡小波 徐现刚  出版年:2014
国家自然科学基金(11134006;51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)
通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛...
关键词:高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层
荧光法测定半导体禁带宽度 ( EI收录)
3
《物理学报》山东大学微电子学院;山东浪潮华光光电子股份有限公司 时凯居 李睿 李长富 王成新 徐现刚 冀子武  出版年:2022
国家自然科学基金(批准号:51872167,51672163)资助的课题.
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.由于InGaN阱层是一种...
关键词:光学带隙 荧光 非辐射复合  局域效应 量子限制斯塔克效应  
深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征 ( EI收录)
4
《发光学报》山东大学微电子学院;广东省科学院半导体研究所;山东浪潮华光光电子股份有限公司 邓建阳 贺龙飞 武智波 李睿 徐明升 王成新 徐现刚 冀子武  出版年:2023
广州市基础研究计划(202201010679);国家自然科学基金(52272157)。
利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上生长了深紫外Al_(0.38)Ga_(0.62)N/Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构,并对其荧光(PL)谱进行了测量。其PL谱的激发密度依赖性测量...
关键词:深紫外LED  AlGaN多量子阱  光致发光  载流子局域效应  
LED晶片减薄中贴片方法对减薄厚度均匀性的影响
5
《信息技术与信息化》山东浪潮华光光电子股份有限公司;不详 胡夕伦 闫宝华 刘琦  出版年:2018
LED晶片的贴片方法直接影响晶片最终减薄厚度的均匀性,本论文分别使用常规的2英寸蓝宝石晶片和砷化镓晶片,首先进行正常的外延结构生长,然后进行正常的管芯制作工艺,晶片减薄前,对比了目前常用的四种不同的贴片方法,结果显示采用...
关键词:LED晶片  减薄 贴片 厚度均匀性  
浅析企业内部财务管理信息化的开展
6
《财经界》山东浪潮华光光电子股份有限公司 郑兆河  出版年:2014
在企业内部开展财务工作信息化管理,能够有效增强企业的核心竞争力,确保企业在激烈的市场竞争中占得一席之地。所以,企业的发展离不开创新的思想和技术的支持,财务管理信息化是企业财务管理工作发展的必然趋势。
关键词:企业 财务管理 信息化 意义  对策  
一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用
7
[发明专利] 山东浪潮华光光电子股份有限公司 20120328申加兵 夏伟 李懿洲 任忠祥  出版年:2013
本发明涉及一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用。该掩膜液是在正性光刻胶中加入磁性金属微球颗粒,磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10~20;所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。本发明的掩膜液...
一种GaN厚膜的生长方法
8
[发明专利] 山东浪潮华光光电子股份有限公司 20200710张义 王成新 徐勤武 王建立 李毓锋  出版年:2020
本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法,属于光电子功率器件技术领域,本发明在蓝宝石基板上生长GaN籽晶,再在GaN籽晶上刻蚀形成阵列式图案的GaN独立模块,通过调整刻蚀进入蓝宝石的深度和宽度控制GaN厚膜的应力,再用有机化学...
共聚碳纳米点杂化材料及其光转换白光LED研究
9
2015年全国高分子学术论文报告会 2015谢政 尹正茂 吴拥中 郝霄鹏 刘春艳 杜青青 徐现刚  出版年:2015
采用一步原位预功能化方法制备可聚合的纳米材料——硅烷功能化碳纳米点(碳点),可以与几乎所有溶剂和有机硅烷混溶,并可通过简单的加热、自聚合或者与有机硅烷共聚制备一系列高光学性能的碳点任意掺杂的干凝胶玻璃体系(包括玻璃、块体...
关键词:碳纳米点  杂化材料 共聚发光  LED  
一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法
10
[发明专利] 山东浪潮华光光电子股份有限公司 20210218徐晓强 程昌辉 王梦雪 闫宝华 王成新  出版年:2022
本发明涉及一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法,包括如下步骤:(1)晶片准备;(2)晶片放置:将GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中,然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置...
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