文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202010660954.0

申 请 日：20200710

发 明 人：张义 王成新 徐勤武 王建立 李毓锋

申 请 人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请人地址：261061 山东省潍坊市市辖区高新区金马路9号

公 开 日：20200818

公 开 号：CN111554570A

代 理 人：孙倩文

代理机构：37219 济南金迪知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法，属于光电子功率器件技术领域，本发明在蓝宝石基板上生长GaN籽晶，再在GaN籽晶上刻蚀形成阵列式图案的GaN独立模块，通过调整刻蚀进入蓝宝石的深度和宽度控制GaN厚膜的应力，再用有机化学气相沉积或氢化物气相外延进行侧向外延生长，实现GaN独立部分横向连接，得到平整的GaN厚膜，解决异质外延因应力大无法生长厚膜问题，为GaN自支撑衬底的制备提供厚膜，应用于同质外延的功率器件、蓝光激光器等，满足高效新型大功率电力电子、光电等领域应用需求。

主 权 项：1.一种GaN厚膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上蒸镀SiO₂掩膜；（2）采用现有的光刻ICP刻蚀技术，将GaN籽晶刻蚀形成带阵列图案的阵列式GaN独立模块，一直刻蚀进入蓝宝石基板；（3）刻蚀通道从GaN籽晶表面刻蚀进入蓝宝石基板，刻蚀进入蓝宝石基板的刻蚀通道宽度为1-50μm，刻蚀深度1-50μm；（4）最后通过现有的有机化学气相沉积或氢化物气相外延进行侧向外延生长，实现GaN独立模块横向连接，得到平整的GaN厚膜。

关 键 词：功率器件  厚膜 刻蚀  籽晶  生长  有机化学气相沉积  氢化物气相外延 侧向外延生长  蓝宝石基板  蓝光激光器 蓝宝石 电力电子  独立模块 横向连接  宽度控制  领域应用  同质外延  异质外延  阵列式  自支撑  衬底  光电子 制备  平整  图案  应用  

IPC专利分类号：H01L21/02(20060101);C30B25/04(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/40(20060101)