文献类型：期刊文章

作　　者：徐明升[1,2] 胡小波[1] 徐现刚[1,2]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904);国家自然科学基金(11134006;51321091;51323002);山东大学基本科研业务费资助项目(2014QY005)

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：6

起止页码：1346-1350

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20143118011982)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1。成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高。

关 键 词：SIC衬底 GAN薄膜 AlGaN成核层  应力  晶体质量

分 类 号：O474]