文献类型：期刊文章

作　　者：邓建阳[1] 贺龙飞[2] 武智波[1] 李睿[1] 徐明升[1] 王成新[3] 徐现刚[1] 冀子武[1]

DENG Jianyang;HE Longfei;WU Zhibo;LI Rui;XU Mingsheng;WANG Chengxin;XU Xiangang;JI Ziwu(Institute of Novel Semiconductors,School of Microelectronics,Shandong University,Jinan 250100,China;Institute of Semiconductor Research,Guangdong Academy of Sciences,Guangzhou 510650,China;Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Weifang 261061,China)

机构地区：[1]山东大学微电子学院,新一代半导体材料研究院,山东济南250100 [2]广东省科学院半导体研究所,广东广州510650 [3]山东浪潮华光光电子股份有限公司,山东潍坊261061

出　　处：《发光学报》

基　　金：广州市基础研究计划(202201010679);国家自然科学基金(52272157)。

年　　份：2023

卷　　号：44

期　　号：11

起止页码：1974-1980

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上生长了深紫外Al_(0.38)Ga_(0.62)N/Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构,并对其荧光(PL)谱进行了测量。其PL谱的激发密度依赖性测量结果表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子的散射、极化场的屏蔽和局域态的填充效应;其PL谱的温度依赖性测量结果则表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子的弛豫、局域载流子的热激发和自由载流子的常规热化效应。这个现象(即多种辐射复合过程的存在)在低温和弱激发测试条件下尤为显著,并且表现出该量子阱结构具有显著的局域深度非均一性和载流子的局域效果,是浅局域载流子的散射效应和深局域态的载流子填充效应共同作用所致。在较低的温度范围内,随着温度升高,该量子阱的辐射过程是由浅局域载流子的弛豫效应和深局域载流子的热激发效应共同作用的结果。这些行为被归因于阱宽起伏所诱发的局域深度的非均一性和载流子的局域效果。

关 键 词：深紫外LED  AlGaN多量子阱  光致发光  载流子局域效应  

分 类 号：O469]