文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210085092.9

申 请 日：20120328

发 明 人：申加兵 夏伟 李懿洲 任忠祥

申 请 人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请人地址：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

公 开 日：20131023

公 开 号：CN103365091A

代 理 人：吕利敏

代理机构：37219 济南金迪知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用。该掩膜液是在正性光刻胶中加入磁性金属微球颗粒，磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10～20；所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。本发明的掩膜液用于AlGaInP LED芯片表面粗化或者GaN LED芯片衬底粗化。将掩膜液喷射到晶片表面上使掩膜层的厚度为磁性金属微球颗粒直径的1～2倍。本发明解决了自然粗化法粗化的角度、深度受晶格结构限制及光刻掩膜版需要昂贵步进光刻机的缺点。

主 权 项：1.一种表面粗化用掩膜液，其特征在于该掩膜液是在黏度为200～300厘泊的正性光刻胶中加入直径为1～4μm的磁性金属微球颗粒制成，磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10～20；所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。

关 键 词：掩膜 磁性金属 微球  光刻胶 光刻掩膜版  衬底表面  晶格结构 颗粒成分  制备方法  光刻机 步进  衬底  化法  晶片  喷射  合金  

IPC专利分类号：G03F7/039(20060101);G03F7/00(20060101);H01L33/00(20100101);H01L33/22(20100101)