文献类型：期刊文章

作　　者：于国建[1] 徐明升[1,2] 胡小波[1] 徐现刚[1,2]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(11134006;51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：5

起止页码：1017-1022

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20142617866756)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级。

关 键 词：高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层

分 类 号：O484.4]