文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202110187714.8

申 请 日：20210218

发 明 人：徐晓强 程昌辉 王梦雪 闫宝华 王成新

申 请 人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请人地址：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

公 开 日：20220830

公 开 号：CN114975741A

代 理 人：赵龙群

代理机构：济南金迪知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法，包括如下步骤：(1)晶片准备；(2)晶片放置：将GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中，然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置楔子，再将步骤(1)中制备好的硅片的的金属粘附层朝下放置在GaAs基LED晶片上，使得楔子将GaAs基LED晶片与硅片间隔开，并且将硅片的切边与GaAs基LED晶片的切边对齐；(3)抽真空、贴片；(4)压片；(5)高温键合；(6)管芯结构制作。本发明提供的方法可以大幅度减少或杜绝键合过程中裂纹/裂片的产生，适用于所有LED晶片的键合制程，且成本低廉，质量稳定。

主 权 项：1.一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)晶片准备：在GaAs基LED晶片的表面依次生长欧姆接触层、电流阻挡层和第二反射镜层,在硅片上依次生长第一反射镜层和金属粘附层；(2)晶片放置：将步骤(1)制备的GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中，然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置楔子，再将步骤(1)中制备好的硅片的的金属粘附层朝下放置在GaAs基LED晶片上，使得楔子将GaAs基LED晶片与硅片间隔开，并且将硅片的切边与GaAs基LED晶片的切边对齐；(3)抽真空、贴片：使用薄膜封口机对耐高温袋进行抽真空，并密封，自动完成贴片；(4)压片：将步骤(3)贴片完成的晶片放置在半自动压片机下进行压片；(5)高温键合：将步骤(4)压片完成的晶片放置在烘箱内进行加热，完成键合；(6)管芯结构制作：对步骤(5)键合完成的晶片，依次进行衬底腐蚀、扩展电极、P面电极、表面粗化刻槽、硅片减薄、硅片N面电极、管芯切割，完成管芯的制作。

关 键 词：楔子  反射镜层  硅片 发光二极管 金属粘附层  边缘放置  朝下放置  高温键合  管芯结构  硅片间隔  键合过程  晶片放置  耐高温袋  切边对齐  质量稳定  抽真空  手动键  朝上  键合 晶片 裂片  切边 贴片  压片  制备  制程  制作  

IPC专利分类号：H01L33/62;H01L21/67