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国家光电子工艺中心 收藏

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研究主题:DFB激光器    INGAASP/INP    半导体器件    光纤光栅    半导体激光器    

研究学科:电子信息类    

被引量:45H指数:3WOS: 11 EI: 18 北大核心: 17 CSCD: 20

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35 条 记 录,以下是 1-10

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析 ( EI收录)
1
《Journal of Semiconductors》中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;国家光电子工艺中心 欧海燕 杨沁清 雷红兵 王红杰 余金中 王启明 胡雄伟  出版年:2000
国家自然科学基金资助项目 !项目号 :698962 60 ;6988970
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多...
关键词:厚二氧化硅  氧化多孔硅 薄膜  微观分析  
硅基二氧化硅阵列波导光栅的研究进展
2
《半导体光电》中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;国家光电子工艺中心 欧海燕 杨沁清 王启明 胡雄伟  出版年:1999
国家自然科学基金
阵列波导光栅( A W G) 是( 密集) 波分复用技术的关键器件之一。提高 A W G 器件的性能和拓展 A W G 器件的功能是 A W G 器件发展的两大方向。综述了 A W G 的串扰、波长响应展宽和偏振特性的...
关键词:硅基二氧化硅波导器件  阵列波导光栅 波分复用
硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析 ( EI收录)
3
《光学学报》中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;国家光电子工艺中心 欧海燕 雷红兵 杨沁清 王红杰 王启明 胡雄伟  出版年:2001
国家自然科学基金!(6 988970 1和 6 9896 2 6 0 )资助项目
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较...
关键词:偏振 线双折射  硅基二氧化硅光波导器件  
应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成 ( EI收录)
4
《Journal of Semiconductors》国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所 王志杰 王圩 王启明  出版年:1998
自然科学基金
本文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件,实现了30mW单纵模工作.采用调制光放大器、静态偏置DFB激光器的方法,产生了低啁啾、高功率的...
关键词:DFB激光器 MOVPE技术  光放大器 集成  
双势垒超晶格结构的同步辐射及X射线双晶衍射研究 ( EI收录)
5
《物理学报》中国科学院半导体研究所;国家光电子工艺中心;中国科学院高能物理研究所 王玉田 庄岩 江德生 杨小平 姜晓明 武家杨 修立松 郑文莉  出版年:1996
利用高精度的X射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究,并运用X射线衍射动力学理论进行模拟计算,得到了与实验结果符合得很好的理论曲线.同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极...
关键词:X射线衍射 双势垒 超晶格
半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展
6
《微细加工技术》国家光电子工艺中心 李建中  出版年:1993
本文首先对干法刻蚀技术发展的二十余年作了回顾。列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑,并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。在发展动向方面介绍了电子迴旋共振和线圈耦合等离子体等刻蚀技术的新进展,...
关键词:微细加工 干法刻蚀 半导体器件 工艺  
Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究 ( EI收录)
7
《Journal of Semiconductors》中国科学院半导体研究所;国家光电子工艺中心 李秉臣 王玉田 庄岩  出版年:1998
本文利用X射线衍射和AES(俄歇)方法,深入地研究了RF磁控溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为。
关键词:半导体器件 欧姆接触 磷化铟
光互连用8×8多量子阱空间光调制器 ( EI收录)
8
《中国激光》国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所;华中理工大学激光技术国家重点实验室 吴荣汉 陈志标 陈弘达 高文智 曹明翠 万安君 刘中林 李洪谱  出版年:1998
制作了光互连用8×8多量子阱空间光调制器,测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Dammann光栅分束器将半导体激光束分成等光强的64路并将其照射到多量子阱空间光调制器上。
关键词:量子阱  空间光调制器 光互连 半导体激光器
啁啾光纤光栅特性研究 ( EI收录)
9
《铁道学报》北方交通大学;国家光电子工艺中心 赵玉成 简水生 王圩 葛璜 安贵仁  出版年:1996
基于耦合模理论,利用数值解法对啁啾光纤光栅特性进了全面的分析,并利用柱面镜全息曝光干涉法制作啁啾光纤光栅图形,和反应离子束刻蚀法在光纤上制作出啁啾光纤光栅,实验结果表明,这种方法制作的啁啾光纤光栅的线性度好。
关键词:光纤光栅 啁啾光栅 光纤通信 数值解法
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性 ( EI收录)
10
《Journal of Semiconductors》中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;国家光电子工艺中心;中国科学院上海光学精密机械研究所 朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍  出版年:1997
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性.激光器的室温连续输出功率达到2W.在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平.器件的特征温度高达185K(35~85℃)及...
关键词:单量子阱 激光器 材料生长  
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