文献类型：期刊文章

作　　者：欧海燕[1] 雷红兵[1] 杨沁清[1] 王红杰[1] 王启明[1] 胡雄伟[2]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]国家光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金!(6 988970 1和 6 9896 2 6 0 )资助项目

年　　份：2001

卷　　号：21

期　　号：1

起止页码：122-124

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。

关 键 词：偏振 线双折射  硅基二氧化硅光波导器件  

分 类 号：TN252]