文献类型：期刊文章

作　　者：朱东海[1] 王占国[1] 梁基本[1] 徐波[1] 朱战萍[1] 张隽[1] 龚谦[1] 金才政[2] 丛立方[2] 胡雄伟[2] 韩勤[2] 方祖捷[3] 刘斌[3] 屠玉珍[3]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 [2]国家光电子工艺中心 [3]中国科学院上海光学精密机械研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家"863"计划的支持

年　　份：1997

卷　　号：18

期　　号：5

起止页码：391-394

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．

关 键 词：单量子阱 激光器 材料生长  

分 类 号：TN248] TN304.054