文献类型：期刊文章

作　　者：王志杰[1,2] 王圩[1,2] 王启明[1,2]

机构地区：[1]国家光电子工艺中心 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：自然科学基金

年　　份：1998

卷　　号：19

期　　号：2

起止页码：97-102

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文在国内首先报道采用ＭＯＶＰＥ技术研制成功了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿型量子阱ＤＦＢ激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了３０ｍＷ单纵模工作．采用调制光放大器、静态偏置ＤＦＢ激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲．集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路．

关 键 词：DFB激光器 MOVPE技术  光放大器 集成  

分 类 号：TN248.4] TN722.32