文献类型：期刊文章

作　　者：欧海燕[1] 杨沁清[1] 雷红兵[1] 王红杰[1] 余金中[1] 王启明[1] 胡雄伟[2]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]国家光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !项目号 :698962 60 ;6988970

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：3

起止页码：260-263

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001025400384)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2

关 键 词：厚二氧化硅  氧化多孔硅 薄膜  微观分析  

分 类 号：TN304.055]