期刊文章详细信息
Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究 ( EI收录)
Mechanism of Non Alloyed Pt Ni/p InP Low Resistance Ohmic Contact
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国科学院半导体研究所 [2]国家光电子工艺中心
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1998
卷 号：19
期 号：5
起止页码：397-400
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1999064499885)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为。
关 键 词：半导体器件 欧姆接触 磷化铟
分 类 号：TN304.25] TN305.93
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