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专用集成电路与系统国家重点实验室 收藏

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研究主题:高电子迁移率晶体管    HEMT    GAN    MMIC    单片微波集成电路    

研究学科:电子信息类    机械类    自动化类    航空航天类    电气类    

被引量:363H指数:8WOS: 3 EI: 9 北大核心: 163 CSCD: 81

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218 条 记 录,以下是 1-10

射频识别技术的现状和发展研究
1
《半导体技术》专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学) 张纲 马庆容 沈磊 俞军  出版年:2004
关键词:射频识别 电子标签 读写器 数据管理
微系统三维集成技术的新发展
2
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司;专用集成电路重点实验室 赵正平  出版年:2017
进入新世纪,微电子的发展进入纳电子/集成微系统时代,人们在继续发展摩尔定律的同时,创新了超越摩尔定律的微系统三维集成技术。介绍了在成像传感、光集成微系统、惯性传感微系统、射频微系统、生物微系统和逻辑微系统的三维集成技术的...
关键词:微系统 3D集成 成像传感  光集成 惯性传感 射频(RF)  生物  多核逻辑电路  芯片上网络  可靠性  异构集成
典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展
3
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司;专用集成电路重点实验室 赵正平  出版年:2015
MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段。从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线。介绍了包含MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS惯性测量单元(...
关键词:MEMS加速度计 MEMS陀螺仪 惯性测量单元(IMU)  RF  MEMS 可穿戴传感  MEMS麦克风
MEMS陀螺仪的研究现状与进展
4
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 李永 赵正平  出版年:2021
MEMS陀螺仪是MEMS传感器中应用最广泛的器件。当今信息智能时代的发展为MEMS陀螺仪带来新的发展机遇,使MEMS陀螺仪进入更高精度和更高可靠性的新的发展阶段。从微结构、电子学控制、工艺平台和集成应用四个方面综述了ME...
关键词:MEMS陀螺仪 传感器 角度陀螺仪  速率陀螺仪 惯性测量单元(IMU)  
Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用
5
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 胥超 徐永青 杨拥军 杨志  出版年:2014
研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 m...
关键词:圆片级键合  键合温度  前处理  应力  剪切强度 漏率
基于MEMS技术的三维集成射频收发微系统
6
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 祁飞 杨拥军 杨志 汪蔚  出版年:2016
基于电学互连的贯穿硅通孔(TSV)和高精度圆片级键合等MEMS加工技术,提出了一种硅基射频收发微系统的三维集成结构设计方案,在硅基衬底上将MEMS滤波器、MMIC芯片和控制芯片在垂直方向上集成为单个系统级封装芯片,开发了...
关键词:微电子机械系统(MEMS)技术  三维集成  贯穿硅通孔(TSV)  射频收发 微系统
Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC
7
《半导体技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 杜鹏搏 徐伟 王生国 高学邦 蔡树军  出版年:2013
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka波段GaN大功率、高效率功率放...
关键词:KA波段 氮化镓 单片微波集成电路 高电子迁移率晶体管 高功率 高效率  
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展
8
《半导体技术》中国电子科技集团有限公司;专用集成电路重点实验室 赵正平  出版年:2021
以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单...
关键词:金刚石 单晶  多晶  金刚石二极管  金刚石场效应晶体管(FET)  射频(RF)FET  金刚石上GaN HEMT  功率电子学
N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟 ( EI收录)
9
《物理学报》河北工业大学信息工程学院;专用集成电路国家级重点实验室 王现彬 赵正平 冯志红  出版年:2014
国家自然科学基金(批准号:61306113)资助的课题~~
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及...
关键词:N极性  GaN/AlGaN异质结  二维电子气 限阈性  
Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计
10
《半导体技术》中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 李富强 赵子润 魏洪涛  出版年:2019
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面...
关键词:单片微波集成电路(MMIC)  GaAs  赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)  增强/耗尽(E/D)型  数字衰减器 数字驱动器  
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