文献类型：期刊文章

作　　者：祁飞[1] 杨拥军[1] 杨志[2] 汪蔚[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]专用集成电路重点实验室,石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2016

卷　　号：53

期　　号：3

起止页码：183-187

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于电学互连的贯穿硅通孔(TSV)和高精度圆片级键合等MEMS加工技术,提出了一种硅基射频收发微系统的三维集成结构设计方案,在硅基衬底上将MEMS滤波器、MMIC芯片和控制芯片在垂直方向上集成为单个系统级封装芯片,开发了一套可应用于制备三维集成射频收发微系统的MEMS加工工艺流程。通过基于MEMS技术的三维集成工艺,成功制备了三维集成C波段射频收发微系统芯片样品,芯片样品尺寸为14 mm×11 mm×1.4 mm,测试结果表明,制作的三维集成C波段射频收发微系统样品技术指标符合设计预期,实现了在硅基衬底上有源器件和无源器件的三维集成,验证了所开发工艺的可行性。

关 键 词：微电子机械系统(MEMS)技术  三维集成  贯穿硅通孔(TSV)  射频收发 微系统

分 类 号：TN43] TH703[仪器类]