文献类型：期刊文章

作　　者：胥超[1] 徐永青[1] 杨拥军[1] 杨志[2]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]专用集成电路重点实验室,石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2014

卷　　号：51

期　　号：2

起止页码：131-135

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。

关 键 词：圆片级键合  键合温度  前处理  应力  剪切强度 漏率

分 类 号：TH703[仪器类] TN305.94]