文献类型：期刊文章

作　　者：邢东[1] 冯志红[1] 王俊龙[1] 张士祖[1] 梁士雄[1] 张立森[1] 宋旭波[1] 蔡树军[1]

机构地区：[1]专用集成电路重点实验室,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2013

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：279-282

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7～8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。

关 键 词：太赫兹 GaAs肖特基二极管  悬浮空气桥  寄生电容 串联电阻

分 类 号：TN315.3]