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北京大学微电子学研究院 收藏

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研究主题:MEMS    微机电系统    硅    集成电路    英文    

研究学科:电子信息类    自动化类    机械类    经济学类    电气类    

被引量:414H指数:10WOS: 32 EI: 46 北大核心: 73 CSCD: 79

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168 条 记 录,以下是 1-10

集成电路的现状及其发展趋势
1
《微电子学》北京大学微电子学研究院;北京市122信箱9室 冯亚林 张蜀平  出版年:2006
集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析,从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面,描述了集成电路的最新动态;探讨了集成电路的发展趋势;指出集成电路与其它学科、技术的结合,不断形成新的研究...
关键词:集成电路 微电子技术 摩尔定律  标准加工线  系统集成芯片
循环冗余校验码(CRC)的硬件并行实现
2
《微电子学与计算机》北京大学微电子学研究院 蒋安平  出版年:2007
讨论了并行计算循环冗余校验码(CRC)的原理,并以USB协议使用的两种CRC的计算为例给出了硬件并行实现CRC的设计方法。
关键词:CRC 并行  USB
历史机遇和我国微电子发展之路
3
《中国集成电路》北京大学微电子学研究院 王阳元  出版年:2005
关键词:微电子产业 中国  发展战略  集成电路 市场  
面向产业需求的21世纪微电子技术的发展(上)
4
《物理》北京大学微电子学研究院 王阳元 黄如 刘晓彦 张兴  出版年:2004
微电子产业是国民经济与国防建设的战略性基础产业 .对此 ,我国经历了发展时期的奋斗 ,现正处于微电子产业迅速崛起的前夕 ,预计经过 1 0— 1 5年左右时间的努力 ,将把我国建设成为微电子产业和科学技术的强国 .文章着...
关键词:微电子技术 等比例缩小  系统芯片 纳电子学 微机电系统
可再生能源互联网中的微电子技术
5
《中国科学:信息科学》北京大学微电子学研究院 黄如 叶乐 廖怀林  出版年:2014
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CBA00601)资助项目
可再生能源互联网对电子系统提出了五大要求:高效性、安全性、可靠性、便利性、宽泛性.为了实现上述要求,可再生能源互联网需要多学科、多方面、多层次的创新.微电子技术将会渗透到可再生能源互联网的各个层级,是可再生能源互联网的重...
关键词:可再生能源互联网  微电子 固态变压器 分布式储能  信息采集芯片  自供能  
微纳机电系统(MEMS/NEMS)前沿
6
《中国科学:信息科学》北京大学微电子学研究院 李志宏  出版年:2012
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CB707505)资助项目
微纳机电系统(MEMS/NEMS)将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微电子工艺及其他一些微加工工艺制作到芯片上,并通过与电路以及相互之间的集成来构筑复杂的微型系统.由于微纳机电系统具有高度的交叉性与渗透性,而使...
关键词:微纳机电系统  单片集成 微电子 纳米技术  
超低功耗集成电路技术
7
《中国科学:信息科学》北京大学微电子学研究院 张兴 杜刚 王源 刘晓彦  出版年:2012
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00600)资助项目
集成电路技术遵循摩尔定律发展进入了纳米尺度,功耗带来的挑战日益突出,已经成为制约集成电路发展的瓶颈问题.微电子技术的发展已经进入了"功耗限制"的时代,功耗成为集成电路设计和制备中的核心问题.降低功耗有可能替代原来提高集成...
关键词:微电子器件 集成电路设计 集成电路工艺 功耗分析 低功耗
新一代存储技术:阻变存储器 ( EI收录)
8
《北京大学学报(自然科学版)》北京大学微电子学研究院 王源 贾嵩 甘学温  出版年:2011
国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
关键词:不挥发性存储器  阻变存储器  电阻可逆转换  三维集成  多值存储  
基于共面去耦结构的空间三维电场测量方法 ( EI收录)
9
《电子与信息学报》中国科学院电子学研究所;中国科学院大学;北京大学微电子学研究院 闻小龙 彭春荣 方东明 杨鹏飞 陈博 夏善红  出版年:2014
国家863计划项目(2011AA040405);国家自然科学基金(61101049;61201078;61302032;61327810)资助课题
为了准确测量空间3维电场,解决作用于电场传感器的电场各分量之间的耦合干扰问题,该文提出一种新型的基于共面去耦结构的空间3维电场探测方法。区别于在空间的X,Y,Z 3个方向上进行3维布置传统测量思路,该文提出采用3个不共线...
关键词:MEMS电场传感器  3维电场  耦合干扰  3维标定  
ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究
10
《微纳电子技术》北京大学微电子学研究院 王成伟 闫桂珍 朱泳  出版年:2003
在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4...
关键词:ICP 硅深槽刻蚀  线宽控制  离子刻蚀 MEMS结构  微机电系统
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