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ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究
Research of critical dimension loss control in the ICP etch of deep Silicon trenches
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京大学微电子学研究院,北京100871
年 份：2003
卷 号：40
期 号：7
起止页码：104-107
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间 ,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的 15 5nm减少到 5 5nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中 。
关 键 词：ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统
分 类 号：TN305.7]
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