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新一代存储技术：阻变存储器 ( EI收录)
Resistive RAM:A Novel Generation Memory Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京大学微电子学研究院,教育部微电子器件与电路重点实验室,北京100871
基 金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助
年 份：2011
卷 号：47
期 号：3
起止页码：565-572
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊
摘 要：阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
关 键 词：不挥发性存储器 阻变存储器 电阻可逆转换 三维集成 多值存储
分 类 号：TP333]
参考文献：
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