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中国华晶电子集团公司 收藏

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研究主题:集成电路    晶体管    电路    IC    额定双极型晶体管    

研究学科:电子信息类    经济学类    自动化类    电气类    建筑类    

被引量:331H指数:7WOS: 1 EI: 8 北大核心: 40 CSSCI: 2 CSCD: 49

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631 条 记 录,以下是 1-10

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势
1
《微电子技术》中国华晶电子集团公司技术支援中心 苏雪莲  出版年:2001
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (IPL)等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推...
关键词:光刻技术 光刻设备 电子束投影光刻  光学光刻
12位模/数转换器AD574在测试仪中的应用
2
《微电子技术》中国华晶电子集团公司双极设计所 王鹏飞 崔文兵 陈钧  出版年:2000
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本文介绍了集成电路测试仪中AD574的使用方法,该测试仪可精确测 量1mV的电压,以此方法可省去程序中很多计算过程。
关键词:模/数转换器  测试仪 单片机 AD574 集成电路
蓝牙产品及蓝牙芯片技术的发展
3
《微电子技术》中国华晶电子集团公司 苏雪莲  出版年:2002
本文主要介绍了国际上蓝牙产品市场、技术和蓝牙芯片技术的发展现状 。
关键词:蓝牙芯片 蓝牙技术 模块  无线通信 短距离
集成电路封装的发展与展望
4
《微电子技术》中国华晶电子集团公司 郑志荣  出版年:2002
本文结合了集成电路技术的进步 ,通过对集成电路封装发展的探索 ,找出了其中的关键步骤 ,提出了发展中的内外因素 ,摸索其规律 。
关键词:集成电路 IC 集成电路封装 表面组装技术 SMT
膜法家用净水器
5
《水处理技术》中国华晶电子集团公司动力工厂;宜兴市侨联环保机械厂 顾久传 周建芳  出版年:1997
膜法家用净水器顾久传周建芳(中国华晶电子集团公司动力工厂,无锡214061)(宜兴市侨联环保机械厂,宜兴214200)随着人口的增长和经济的发展,环境污染日趋严重,水源短缺,水质恶化,全世界每年有2.5万人由于饮用被污染...
关键词:净水器 家用净水器 膜法
晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨
6
《半导体技术》中国华晶电子集团公司 石林初  出版年:1999
国家自然科学基金
由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应,是限制晶体管承载电流能力的因素之一[1~4]。本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点,指出:在Ⅰ~Ⅱ区,发射极电流集边...
关键词:晶体管 发射极 电流集边效应
发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证 ( EI收录)
7
《Journal of Semiconductors》中国华晶电子集团公司双极设计所 石林初 杜行尧 吕文生 吴毅 吴敏  出版年:2000
国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :697760 2 4 )&&
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注...
关键词:发射极电流  集边效应  SPICE验证  晶体管
VDMOS功率器件开关特性研究
8
《微电子学》中国华晶电子集团公司中央研究所 邵建新 王立模  出版年:1994
本文详细分析了线性负载VDMOS功率器件的开关特性,得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试(工作)电流及电压的关系,并以方形原胞为例,指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。
关键词:功率器件 开关特性 半导体器件
塑封成形缺陷研究
9
《微电子技术》中国华晶电子集团公司MOS总厂 孙宏伟 罗文丽  出版年:1999
本文分析了单注塑封装模式中塑封成形缺陷产生的原因,并针对各种缺陷提出了相应的解决方案。
关键词:塑封成形缺陷  单注塑塑封模  塑封料
CMOS VLSI ESD保护电路设计技术
10
《微电子技术》中国华晶电子集团公司中央研究所 薛忠杰  出版年:1999
本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析,介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路,以及采用周密的版图布局布线技术,可实现良好的ES...
关键词:ESD保护 薄栅NMOS器件  设计  
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