文献类型：期刊文章

作　　者：石林初[1] 杜行尧[1] 吕文生[1] 吴毅[1] 吴敏[1]

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司双极设计所,无锡214061

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :697760 2 4 )&&

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：11

起止页码：1139-1144

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注入区和中等注入区适用 ,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ;相反 ,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ,且与用 SPICE模拟得到的结果吻合 .结论是 :从整体来看 ,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些 ,因为前者的适用范围比后者宽 .应当强调指出 。

关 键 词：发射极电流  集边效应  SPICE验证  晶体管

分 类 号：TN32]