文献类型：期刊文章

作　　者：石林初[1]

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：24

期　　号：3

起止页码：14-18

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流集边效应不明显，晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定；在Ⅰ～Ⅲ区，发射极电流集边效应明显，晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定；在Ⅰ～Ⅳ区发射极电流集边效应已非常突出，晶体管承载电流能力由发射区有效周长决定。

关 键 词：晶体管 发射极 电流集边效应

分 类 号：TN320.1]