期刊文章详细信息
CMOS VLSI ESD保护电路设计技术
ESD Protection Circuit Design Technology for CMOS VLSI
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国华晶电子集团公司中央研究所,无锡214061
年 份：1999
卷 号：27
期 号：2
起止页码：46-51
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析，介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路，以及采用周密的版图布局布线技术，可实现良好的ESD保护性能。
关 键 词：ESD保护 薄栅NMOS器件 设计
分 类 号：TN4]
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