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中国电子科技集团公司第十三研究所 收藏

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研究主题:砷化镓    硅    半导体器件    功率放大器    场效应晶体管    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    机械类    经济学类    

被引量:608H指数:11WOS: 6 EI: 25 北大核心: 84 CSCD: 83

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518 条 记 录,以下是 1-10

SiC半导体材料及其器件应用
1
《半导体情报》电子十三所;西安电子科技大学 杨克武 潘静 杨银堂  出版年:2000
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
关键词:半导体材料 半导体器件 碳化硅
SOC的现状与发展
2
《半导体情报》电子十三所;河北科技大学 吴洪江 郑滨  出版年:2001
介绍了 SOC,MEMS,MCM的进展 ,对 SOC在设计、 IP芯核开发方面作了简要说明 ,提出了我国在 SOC领域应开展的工作。
关键词:系统级芯片 微电子机械系统 多芯片模块 集成电路
21世纪初微电子技术发展展望
3
《半导体情报》电子部第十三研究所 赵正平  出版年:1999
综述了微电子领域中纳米技术、MEMS、Si和GaAs集成电路、微波/毫米波器件及宽禁带半导体技术目前的发展状况。在此基础上,对其在21世纪初期的发展做了展望。
关键词:纳米技术  MEMS 集成电路 宽禁带半导体
通信用线性功率放大器的进展
4
《半导体情报》电子十三所 李浩模  出版年:2001
综述了线性功率放大器的发展与现状 ,并分别介绍了当前已在应用的预失真法、前馈法和组合模块法线性功放的原理及电路。
关键词:线性功率放大器 通信 预失真法 前馈法  组合模块法  
离子束刻蚀
5
《半导体技术》电子部第十三研究所 赵丽华 周名辉 王书明 李锦标 霍彩虹 周晓黎  出版年:1999
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描...
关键词:离子束刻蚀 干法刻蚀 半导体器件
单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光 ( EI收录)
6
《表面技术》湖南大学国家高效磨削工程技术研究中心;大族激光科技产业集团股份有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所 尹韶辉 邓子默 郭源帆 刘坚 黄帅 尹建刚 卢建刚 彭博  出版年:2020
国家重点研发计划(2017YFE0116900);国家自然科学基金(51675171)。
目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置,进行单因素实验,研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流变...
关键词:碳化硅晶片  磁流变抛光 大抛光模  表面粗糙度 电磁场
MEMS封装技术现状与发展趋势
7
《半导体情报》电子十三所;河北建筑科技学院 李秀清 周继红  出版年:2001
介绍了 MEMS封装技术 ,包括单芯片和多芯片封装技术。从适用性的观点出发 ,概述了当前的 MEMS封装技术现状 。
关键词:MEMS 封装 多芯片 微机电系统 微电子
闪速存储器的研究与进展
8
《半导体技术》华晶电子集团中央研究所;电子十三所 于宗光 何耀宇  出版年:1999
介绍了闪速存储器的发展历史,分析了闪速存储器单元及电路的工作原理,并就“与非”结构闪速存储器进行探讨,最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码/电路和深亚微米(0.25μm)闪速存储器技术。
关键词:闪速存储器 EPROM E^2PROM 结构  
Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展
9
《半导体情报》电子十三所 闫发旺 梁春广  出版年:2001
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。
关键词:稀磁半导体 半导体异质结 自旋电子器件  Ⅲ-V族磁半导体  半导体材料
半导体照明灯
10
《半导体技术》电子十三所 梁春广  出版年:2000
半导体晶体管以及集成电路的发明和发展使计算机成为人类社会不可或缺的东西,这数得上是20世纪最重要的技术革命。那么,半导体引起的下一个技术革命将是什么呢?那就是半导体灯。半导体照明灯将逐步取代电真空灯泡和日光灯管,成为又一...
关键词:半导体 照明灯 发光二极管
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