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期刊文章详细信息

闪速存储器的研究与进展    

Research and Progress of Flash Memory

  

文献类型:期刊文章

作  者:于宗光[1] 何耀宇[2]

机构地区:[1]华晶电子集团中央研究所 [2]电子十三所

出  处:《半导体技术》

年  份:1999

卷  号:24

期  号:4

起止页码:1-7

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:介绍了闪速存储器的发展历史,分析了闪速存储器单元及电路的工作原理,并就“与非”结构闪速存储器进行探讨,最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码/电路和深亚微米(0.25μm)闪速存储器技术。

关 键 词:闪速存储器 EPROM E^2PROM 结构  

分 类 号:TP333.803]

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同被引文献:

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