期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]电子十三所,石家庄050051 [2]西安电子科技大学,西安710071
年 份:2000
卷 号:37
期 号:2
起止页码:13-15
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
关 键 词:半导体材料 半导体器件 碳化硅
分 类 号:TN304.24]
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