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期刊文章详细信息

SiC半导体材料及其器件应用    

Techniques of SiC Semiconductor Materials and Devices

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨克武[1] 潘静[1] 杨银堂[2]

机构地区:[1]电子十三所,石家庄050051 [2]西安电子科技大学,西安710071

出  处:《半导体情报》

年  份:2000

卷  号:37

期  号:2

起止页码:13-15

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。

关 键 词:半导体材料 半导体器件 碳化硅

分 类 号:TN304.24]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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