文献类型：期刊文章

作　　者：尹韶辉[1] 邓子默[1] 郭源帆[1] 刘坚[1] 黄帅[1] 尹建刚[2] 卢建刚[2] 彭博[3]

YIN Shao-hui;DENG Zi-mo;GUO Yuan-fan;LIU Jian;HUANG Shuai;YIN Jian-gang;LU Jian-gang;PENG Bo(National Engineering Research Center for High Efficiency Grinding,Hunan University,Changsha 410082,China;Han’s Laser Technology Industry Group Co.,Ltd,Shenzhen 518000,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shenzhen 050051,China)

机构地区：[1]湖南大学国家高效磨削工程技术研究中心,长沙410082 [2]大族激光科技产业集团股份有限公司,广东深圳518000 [3]中国电子科技集团公司第十三研究所,广东深圳050051

出　　处：《表面技术》

基　　金：国家重点研发计划(2017YFE0116900);国家自然科学基金(51675171)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：10

起止页码：309-315

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置,进行单因素实验,研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流变抛光加工性能的影响,并检测加工面粗糙度及其变化率来分析抛光效果。结果在工作间隙1.4 mm、电流强度12 A的工艺参数下,加工面粗糙度值随着加工时间的增加而降低,抛光60 min后,加工面粗糙度值Ra达到0.9 nm,变化率达到98.3%。加工面粗糙度值随通电电流的增大而减小,随着工作间隙的增大而增大。在工作间隙为1.0 mm、通电电流为16 A、加工时间为40 min的优化参数下抛光单晶碳化硅,可获得表面粗糙度Ra为0.6 nm的超光滑表面。结论应用电磁场励磁的大抛光模盘式磁流变抛光方法加工单晶碳化硅材料,能够获得亚纳米级表面粗糙度。

关 键 词：碳化硅晶片  磁流变抛光 大抛光模  表面粗糙度 电磁场

分 类 号：TG707] TG580.692